MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 3.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 166-1834
- Nº ref. fabric.:
- FDT458P
- Fabricante:
- onsemi
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- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 130mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.56 mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.56 mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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