MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
671-4733
Nº ref. fabric.:
2N7000
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

2N7000

Encapsulado

TO-92

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.88V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.8nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.2mm

Altura

5.33mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.19 mm

Estándar de automoción

No

Distrelec Product Id

304-43-722

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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