MOSFET QFET de canal P, Tipo P-Canal onsemi FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
671-5118
Nº ref. fabric.:
FQP3P50
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET QFET de canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Serie

QFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.9Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

85W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

55°C

Tensión directa Vf

-5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.7 mm

Altura

9.4mm

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P QFET®, Fairchild Semiconductor


Los nuevos MOSFET planares QFET® de FairField Semiconductor utilizan tecnología avanzada y propietaria para ofrecer el mejor rendimiento de funcionamiento de su clase para una amplia gama de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de display de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.

Ofrecen una pérdida de estado encendido reducida mediante la reducción de la resistencia de encendido (RDS(on)), y una pérdida de conmutación reducida mediante la reducción de la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida (Coss). Al utilizar la tecnología de proceso QFET® avanzada, Fairchild puede ofrecer una cifra de mérito (FOM) mejorada con respecto a los dispositivos MOSFET Planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi


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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

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