MOSFET onsemi FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2.7 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
671-5118
Nº ref. fabric.:
FQP3P50
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Serie

QFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4,9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

85000 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Altura

9.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de canal P QFET®, Fairchild Semiconductor


El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.

Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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