MOSFET QFET de canal P, Tipo P-Canal onsemi FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 671-5118
- Nº ref. fabric.:
- FQP3P50
- Fabricante:
- onsemi
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 671-5118
- Nº ref. fabric.:
- FQP3P50
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET QFET de canal P | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 500 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 2.7 A | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Número de pines | 3 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | -5 V | |
| Altura | 9.4 mm | |
| Longitud | 10.1 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 4.9 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 85 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | QFET | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 18 nC | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET QFET de canal P | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 500 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 2.7 A | ||
Modo de canal Mejora | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Número de pines 3 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) -5 V | ||
Altura 9.4 mm | ||
Longitud 10.1 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 4.9 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 85 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie QFET | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 18 nC | ||
Anchura 4.7 mm | ||
MOSFET de canal P QFET®, Fairchild Semiconductor
Los nuevos MOSFET planares QFET® de FairField Semiconductor utilizan tecnología avanzada y propietaria para ofrecer el mejor rendimiento de funcionamiento de su clase para una amplia gama de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de display de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una pérdida de estado encendido reducida mediante la reducción de la resistencia de encendido (RDS(on)), y una pérdida de conmutación reducida mediante la reducción de la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida (Coss). Al utilizar la tecnología de proceso QFET® avanzada, Fairchild puede ofrecer una cifra de mérito (FOM) mejorada con respecto a los dispositivos MOSFET Planar de la competencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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