MOSFET STMicroelectronics STB9NK50ZT4, VDSS 500 V, ID 7.2 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Documentación Técnica

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	850 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	110000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	32 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	10.4mm
Ancho	9.35mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.6mm
Serie	MDmesh, SuperMESH