MOSFET Infineon IRF1018EPBF, VDSS 60 V, ID 79 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 688-6800
Nº ref. fabric.:: IRF1018EPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF1018EPBF, VDSS 60 V, ID 79 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 11/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,984 €

(exc. IVA)

1,191 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 45	0,984 €	4,92 €
50 - 120	0,904 €	4,52 €
125 - 245	0,846 €	4,23 €
250 - 495	0,786 €	3,93 €
500 +	0,728 €	3,64 €

*precio indicativo

Código RS:: 688-6800
Nº ref. fabric.:: IRF1018EPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

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Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	79 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	110 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Longitud	10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	46 nC a 10 V
Ancho	4.83mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	9.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C