MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTR1P02T1G, VDSS 20 V, ID 1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 688-9143
- Nº ref. fabric.:
- NTR1P02T1G
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
0,52 €
(exc. IVA)
0,62 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 12 unidad(es) más para enviar a partir del 10 de agosto de 2026
- Disponible(s) 2794 unidad(es) más para enviar a partir del 17 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 + | 0,26 € | 0,52 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 688-9143
- Nº ref. fabric.:
- NTR1P02T1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 0.94mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 0.94mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 8 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 6 pines