MOSFET IXYS IXFK27N80Q, VDSS 800 V, ID 27 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 711-5382P
Nº ref. fabric.:: IXFK27N80Q
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFK27N80Q, VDSS 800 V, ID 27 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple

Precio Unidad (suministrado en un tubo)

11,61 €

(exc. IVA)

14,05 €

(inc.IVA)

16 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad
1 +	11,61 €

Código RS:: 711-5382P
Nº ref. fabric.:: IXFK27N80Q
Fabricante:: IXYS

IXFK 27N80Q Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	27 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	TO-264AA
Serie	HiperFET, Q-Class
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	320 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Disipación de Potencia Máxima	500000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	19.96mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	170 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	5.13mm
Altura	26.16mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFK27N80Q, VDSS 800 V, ID 27 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Q