MOSFET STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP, VDSS 600 V, ID 400 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 714-6796P
Nº ref. fabric.:: STQ1HNK60R-AP
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP, VDSS 600 V, ID 400 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

Precio Unidad (suministrado como una cinta)**

0,514 €

(exc. IVA)

0,622 €

(inc.IVA)

6600 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*

* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Unidades	Por unidad
50 - 90	0,485 €
100 - 240	0,457 €
250 - 490	0,431 €
500 +	0,412 €

**precio indicativo

Código RS:: 714-6796P
Nº ref. fabric.:: STQ1HNK60R-AP
Fabricante:: STMicroelectronics

STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8Ω - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	TO-92
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8,5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.25V
Disipación de Potencia Máxima	3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Longitud	4.95mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	3.94mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	7 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.95mm

MOSFET STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP, VDSS 600 V, ID 400 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

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MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics