MOSFET onsemi FDMS86101, VDSS 100 V, ID 80 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 739-4848P
Nº ref. fabric.:: FDMS86101
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDMS86101, VDSS 100 V, ID 80 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

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Unidades	Por unidad
1 +	0,80 €

Código RS:: 739-4848P
Nº ref. fabric.:: FDMS86101
Fabricante:: onsemi

MOSFET N Channel 100V 8 Pin Power 56
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	PQFN8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	14 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	104 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	39 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	6.25mm
Longitud	5.1mm
Altura	1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDMS86101, VDSS 100 V, ID 80 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor