MOSFET onsemi FDP036N10A, VDSS 100 V, ID 214 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 739-4866P
Nº ref. fabric.:: FDP036N10A
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDP036N10A, VDSS 100 V, ID 214 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 739-4866P
Nº ref. fabric.:: FDP036N10A
Fabricante:: onsemi

MOSFET N Channel Power Trench 100V
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	214 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	333 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	89 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.67mm
Ancho	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	9.4mm

MOSFET onsemi FDP036N10A, VDSS 100 V, ID 214 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor