MOSFET DiodesZetex ZXMHC3F381N8TC, VDSS 30 V, ID 4,1 A, 4,98 A, SOIC de 8 pines, 4elementos, config. Puente completo

Código RS:: 751-5344P
Nº ref. fabric.:: ZXMHC3F381N8TC
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex ZXMHC3F381N8TC, VDSS 30 V, ID 4,1 A, 4,98 A, SOIC de 8 pines, 4elementos, config. Puente completo

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

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Código RS:: 751-5344P
Nº ref. fabric.:: ZXMHC3F381N8TC
Fabricante:: DiodesZetex

30V SO8 Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,1 A, 4,98 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	60 mΩ, 80 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Disipación de Potencia Máxima	1,35 W
Configuración de transistor	Puente completo
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	4
Longitud	5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm

MOSFET DiodesZetex ZXMHC3F381N8TC, VDSS 30 V, ID 4,1 A, 4,98 A, SOIC de 8 pines, 4elementos, config. Puente completo

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Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.