MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS87H6327FTSA1, VDSS 240 V, ID 260 mA, Mejora, SOT-89 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
752-8249
Nº ref. fabric.:
BSS87H6327FTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

260mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

240V

Encapsulado

SOT-89

Serie

SIPMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.5mm

Altura

1.5mm

Anchura

2.5 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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