Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB24NM60N, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 760-9499P
Nº ref. fabric.:: STB24NM60N
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB24NM60N, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 760-9499P
Nº ref. fabric.:: STB24NM60N
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-263
	Serie	MDmesh
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	190mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	125W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.6V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	46nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.75mm
	Altura	4.6mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-263
	Serie MDmesh
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 125W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.6V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.75mm
	Altura 4.6mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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