MOSFET STMicroelectronics STP23NM60ND, VDSS 600 V, ID 19,5 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	19,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	180 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	10.4mm
Ancho	4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	70 nC a 10 V
Altura	15.75mm
Serie	FDmesh