MOSFET de potencia, N-Canal onsemi FCP165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 178-4676
- Nº ref. fabric.:
- FCP165N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 165mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 154W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free, Halide Free | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 16.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 165mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 154W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free, Halide Free | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 16.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)
Internal Gate Resistance: 4.6 Ω
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 140 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Consumer
Industrial
End Products:
Notebook / Desktop computer
Game Console
Telecom / Server
LCD / LED TV
LED Lighting / Ballast
Adapter
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