MOSFET onsemi FCP165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

El MOSFET de canal N de montaje en orificio pasante on Semiconductor TO-220 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 650V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 165mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una corriente de drenaje continua de 19A y una disipación de potencia máxima de 154W. El MOSFET tiene una tensión de conducción de 10V. Utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una excelente resistencia a bajas temperaturas y un menor rendimiento de la carga del punto de inyección. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• 100% de avalancha probada
• Alta densidad de potencia
• mayor fiabilidad del sistema a bajas temperaturas
• Sin Plomo (Pb)
• ruido de punto de inyección bajo y pérdida de conmutación
• pérdida de conmutación baja
• Bajar los Vds Peak y bajar la oscilación De Vgs
• rango de temperaturas de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C.
• capacitancia Optimizada
• ultradelgado

• Adaptador
• Computación
• fuentes de alimentación industriales
• Iluminación de LED
• Iluminación/cargador/adaptador
• Telecom/servidor
• Telecomunicaciones
• fuentes de alimentación de telecomunicaciones/servidores
• UPS/solar