MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 221-6747
- Nº ref. fabric.:
- NTP165N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
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- NTP165N65S3H
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTP165N65S | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 165mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 142W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 16.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTP165N65S | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 165mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 142W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 16.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
Carga de puerta ultrabaja
Baja capacitancia de salida efectiva: 326 pF
100 % a prueba de avalancha
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