MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTPF165N65S3H, VDSS 650 V, ID 19 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 229-6495
- Nº ref. fabric.:
- NTPF165N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
8,40 €
(exc. IVA)
10,16 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 27 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,20 € | 8,40 € |
| 20 - 198 | 3,62 € | 7,24 € |
| 200 + | 3,14 € | 6,28 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-6495
- Nº ref. fabric.:
- NTPF165N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 165mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Altura | 29.95mm | |
| Longitud | 10.63mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 165mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Altura 29.95mm | ||
Longitud 10.63mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie SUPER FET DE ON Semiconductor es un MOSFET de súper unión de alta tensión completamente nuevo que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología Advanced se ha diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir una velocidad de dv/dt extrema.
Baja capacitancia eficaz de salida
100 % a prueba de avalancha
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-220 de 3 pines