MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 761-0106P
Nº ref. fabric.:: STP34NM60N
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Precio Unidad (suministrado en un tubo)**

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Código RS:: 761-0106P
Nº ref. fabric.:: STP34NM60N
Fabricante:: STMicroelectronics

ESD Control Selection Guide V1
N-channel 600 V, 0.092 Ω, 31.5 A MDmesh™ II Power MOSFETs Datasheet

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	MDmesh
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	105 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	210 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Longitud	10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	84 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	4.6mm
Altura	15.75mm

MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics