MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines

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Código RS:
761-0247P
Nº ref. fabric.:
STU7NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

IPAK (TO-251)

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.9Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Altura

6.9mm

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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