MOSFET STMicroelectronics STF21NM60ND, VDSS 600 V, ID 17 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Documentación Técnica

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	FDmesh
Tipo de Encapsulado	TO-220FP
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	220 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	30 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Material del transistor	Si
Longitud	10.4mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	60 nC a 10 V
Altura	16.4mm