MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 115 mA, SC-70, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
761-3571P
Nº ref. fabric.:
2N7002DW
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

115mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

200mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

2mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El 2N7002DW es un MOSFET de doble canal N de uso general. Presenta resistencia de bajo encendido y tensión de umbral de puerta baja. También cuenta con una velocidad de conmutación rápida y está disponible en un paquete de montaje en superficie ultrapequeño. Este MOSFET Dual N-channel se utiliza normalmente en todas las aplicaciones de uso general, pero se utiliza comúnmente en controles de motor y PMF (Power Management Functions).

Características y ventajas:


• Dual N-Channel

• Baja resistencia

• Umbral de puerta bajo

• Velocidad de conmutación rápida

• Baja fuga de entrada y salida

MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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