MOSFET, N-Canal onsemi NTD18N06LT4G, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
773-7875
Nº ref. fabric.:
NTD18N06LT4G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NTD18N06L

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Disipación de potencia máxima Pd

55W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-15, +15V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.38mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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