MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTD18N06LT4G, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 773-7875
- Nº ref. fabric.:
- NTD18N06LT4G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
5,30 €
(exc. IVA)
6,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 230 unidad(es) más para enviar a partir del 06 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,06 € | 5,30 € |
| 50 - 95 | 0,914 € | 4,57 € |
| 100 - 495 | 0,792 € | 3,96 € |
| 500 - 995 | 0,696 € | 3,48 € |
| 1000 + | 0,634 € | 3,17 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 773-7875
- Nº ref. fabric.:
- NTD18N06LT4G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | NTD18N06L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 55W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Altura | 2.38mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie NTD18N06L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 55W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Altura 2.38mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines