Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTD25P03LT4G, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 773-7888
Nº ref. fabric.:: NTD25P03LT4G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTD25P03LT4G, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 45	1,012 €	5,06 €
50 - 95	0,874 €	4,37 €
100 - 495	0,756 €	3,78 €
500 - 995	0,664 €	3,32 €
1000 +	0,604 €	3,02 €

*precio indicativo

Código RS:: 773-7888
Nº ref. fabric.:: NTD25P03LT4G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	NTD25P03L
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	90mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	15 V
	Disipación de potencia máxima Pd	75W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.73mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	6.22 mm
	Altura	2.38mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie NTD25P03L
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V
	Disipación de potencia máxima Pd 75W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.73mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 6.22 mm
	Altura 2.38mm
	Estándar de automoción No

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTD25P03LT4G, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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