MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTD25P03LT4G, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 773-7888
- Nº ref. fabric.:
- NTD25P03LT4G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
5,17 €
(exc. IVA)
6,255 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3060 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,034 € | 5,17 € |
| 50 - 95 | 0,892 € | 4,46 € |
| 100 - 495 | 0,772 € | 3,86 € |
| 500 - 995 | 0,68 € | 3,40 € |
| 1000 + | 0,616 € | 3,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 773-7888
- Nº ref. fabric.:
- NTD25P03LT4G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | NTD25P03L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.38mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie NTD25P03L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.38mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 35 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines