MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7002KT1G, VDSS 60 V, ID 380 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 780-0478
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002KT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 780-0478
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002KT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 380mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002K | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 420mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.01mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 380mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie 2N7002K | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 420mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.01mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El 2N7002K es una señal pequeña MOSFET. Este MOSFET es un único canal N que ofrece protección ESD en un paquete de montaje en superficie. Este MOSFET mejora la eficiencia del sistema y hace un gran uso en aplicaciones portátiles.
Características y ventajas:
• Protección contra ESD
• N-Canal
• RDS bajo
• libre de PB y halógenos
• Vaciar a la fuente - 60 V.
• Mejora de la eficiencia del sistema
Aplicaciones:
• Convertidor CC-CC
• Circuitos de cambio de nivel
• Interruptores de carga del lado bajo
• Aplicaciones portátiles como teléfonos, PDA, DSCs, portátiles y tabletas.
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
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