MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 4.6 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 780-0655P
- Nº ref. fabric.:
- NTLJD3119CTBG
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 100 unidades (suministrado en una tira continua)*
62,50 €
(exc. IVA)
75,60 €
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 100 - 240 | 0,625 € |
| 250 - 490 | 0,541 € |
| 500 - 990 | 0,476 € |
| 1000 + | 0,433 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 780-0655P
- Nº ref. fabric.:
- NTLJD3119CTBG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | μCool | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.69V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.3W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.75mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie μCool | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.69V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.3W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.75mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.