MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF57N65M5, VDSS 710 V, ID 42 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 783-3002P
- Nº ref. fabric.:
- STF57N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 5 unidades (suministrado en tubo)*
37,55 €
(exc. IVA)
45,45 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 14 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 5 - 9 | 7,51 € |
| 10 - 24 | 7,32 € |
| 25 - 49 | 7,13 € |
| 50 + | 6,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 783-3002P
- Nº ref. fabric.:
- STF57N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 63mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 98nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 16.4mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 63mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 16.4mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.