MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STY139N65M5, VDSS 710 V, ID 130 A, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 783-3028
- Nº ref. fabric.:
- STY139N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 130A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 363nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 625W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.3mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 130A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 363nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 625W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.3mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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