MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STY139N65M5, VDSS 710 V, ID 130 A, Mejora de 3 pines

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Código RS:
783-3028
Nº ref. fabric.:
STY139N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

130A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

710V

Serie

MDmesh M5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

363nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

625W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.3 mm

Altura

20.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics


El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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