MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL57N65M5, VDSS 710 V, ID 22 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- Código RS:
- 783-3056P
- Nº ref. fabric.:
- STL57N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 783-3056P
- Nº ref. fabric.:
- STL57N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 69mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 96nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 69mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 96nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.