MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 5.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Subtotal 5 unidades (suministrado en una tira continua)*

5,14 €

(exc. IVA)

6,22 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2370 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
5 +1,028 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
786-3628P
Nº ref. fabric.:
STD9N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Serie

MDmesh M2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

780mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.