MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 786-3763P
Nº ref. fabric.:: STP10N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Precio Unidad (suministrado en un tubo)

0,974 €

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1,179 €

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Unidades	Por unidad
25 - 45	0,926 €
50 - 120	0,836 €
125 - 245	0,75 €
250 +	0,712 €

Código RS:: 786-3763P
Nº ref. fabric.:: STP10N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

ST*10N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Serie	MDmesh M2
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	600 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	85 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.6mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	13,5 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	10.4mm
Altura	15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics