MOSFET STMicroelectronics STB13N80K5, VDSS 800 V, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 792-5704
- Nº ref. fabric.:
- STB13N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
6,88 €
(exc. IVA)
8,325 €
(inc.IVA)
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,376 € | 6,88 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 792-5704
- Nº ref. fabric.:
- STB13N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 12 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 450 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 190 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Material del transistor | Si | |
| Ancho | 9.35mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 29 nC a 10 V | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 12 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 800 V | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 450 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 190 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 9.35mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 29 nC a 10 V | ||
Longitud 10.4mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 4.6mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||