MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1.5 kV, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
- Código RS:
- 792-5861P
- Nº ref. fabric.:
- STH3N150-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 792-5861P
- Nº ref. fabric.:
- STH3N150-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.5kV | |
| Encapsulado | H2PAK | |
| Serie | MDmesh | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 4.8mm | |
| Anchura | 15.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.5kV | ||
Encapsulado H2PAK | ||
Serie MDmesh | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 4.8mm | ||
Anchura 15.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||