MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP4N80K5, VDSS 800 V, ID 3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
792-6097
Nº ref. fabric.:
STP4N80K5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

15.75mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.6 mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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