MOSFET STMicroelectronics STB85NF55T4, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 795-6929
- Nº ref. fabric.:
- STB85NF55T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 795-6929
- Nº ref. fabric.:
- STB85NF55T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 80 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 8 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Ancho | 9.35mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 120 nC a 10 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 80 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 8 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 300 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Ancho 9.35mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 120 nC a 10 V | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 4.6mm | ||
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
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Transistores MOSFET, STMicroelectronics