MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 798-2798P
- Nº ref. fabric.:
- PMV32UP,215
- Fabricante:
- Nexperia
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 30 + | 0,312 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 798-2798P
- Nº ref. fabric.:
- PMV32UP,215
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | PMV32UP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 415mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie PMV32UP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 415mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P, Nexperia
Transistores MOSFET, NXP Semiconductors
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