Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 798-2924P
Nº ref. fabric.:: PSMN1R8-30PL,127
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 798-2924P
Nº ref. fabric.:: PSMN1R8-30PL,127
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.7V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	170nC
	Disipación de potencia máxima Pd	270W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	16mm
	Longitud	10.3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.7V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC
	Disipación de potencia máxima Pd 270W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 16mm
	Longitud 10.3mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: PH

MOSFET de canal N, hasta 30V

Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

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