MOSFET IXYS IXFH30N50Q3, VDSS 500 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 801-1386P
Nº ref. fabric.:: IXFH30N50Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH30N50Q3, VDSS 500 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Precio Unidad (suministrado en un tubo)

12,11 €

(exc. IVA)

14,65 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 18/03/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad
6 - 14	11,12 €
15 +	10,56 €

Código RS:: 801-1386P
Nº ref. fabric.:: IXFH30N50Q3
Fabricante:: IXYS

IXFT30N50Q3, IXFH30N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	200 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	690 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	16.26mm
Ancho	5.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	62 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	16.26mm

MOSFET IXYS IXFH30N50Q3, VDSS 500 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3