MOSFET IXYS IXFR24N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, ISOPLUS247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 801-1433
Nº ref. fabric.:: IXFR24N100Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFR24N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, ISOPLUS247 de 3 pines, , config. Simple

999999999 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

29,41 €

(exc. IVA)

35,59 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	29,41 €
10 - 19	26,47 €
20 - 49	25,29 €
50 - 249	24,40 €
250 +	23,92 €

Código RS:: 801-1433
Nº ref. fabric.:: IXFR24N100Q3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Tipo de Encapsulado	ISOPLUS247
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	490 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	500 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	140 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	5.21mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	16.13mm
Altura	21.34mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C