MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
802-1030P
Nº ref. fabric.:
NTD6415ANLT4G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

NTD6415ANL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

56mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Altura

2.38mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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