MOSFET onsemi MVGSF1N03LT1G, VDSS 30 V, ID 2,1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 802-1954P
Nº ref. fabric.:: MVGSF1N03LT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi MVGSF1N03LT1G, VDSS 30 V, ID 2,1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

0,502 €

(exc. IVA)

0,607 €

(inc.IVA)

2275 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*

* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.

Unidades	Por unidad
100 - 225	0,433 €
250 +	0,375 €

Código RS:: 802-1954P
Nº ref. fabric.:: MVGSF1N03LT1G
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	145 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.4V
Disipación de Potencia Máxima	690 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6 nC a 10 V
Longitud	3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.01mm

MOSFET onsemi MVGSF1N03LT1G, VDSS 30 V, ID 2,1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor