MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NVR1P02T1G, VDSS 20 V, ID 1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 802-2534
- Nº ref. fabric.:
- NVR1P02T1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 50 unidades)*
8,30 €
(exc. IVA)
10,05 €
(inc.IVA)
Añade 600 unidades para conseguir entrega gratuita
Agotado temporalmente
- Envío desde el 17 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,166 € | 8,30 € |
| 500 - 950 | 0,143 € | 7,15 € |
| 1000 + | 0,124 € | 6,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 802-2534
- Nº ref. fabric.:
- NVR1P02T1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.01mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.01mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 6 pines