MOSFET IXYS IXFH60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 802-4382P
Nº ref. fabric.:: IXFH60N50P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Precio Unidad (suministrado en un tubo)

10,06 €

(exc. IVA)

12,17 €

(inc.IVA)

1 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad
2 - 4	9,57 €
5 - 9	9,26 €
10 - 14	9,05 €
15 +	8,66 €

Código RS:: 802-4382P
Nº ref. fabric.:: IXFH60N50P3
Fabricante:: IXYS

IXFT60N50P3, IXFQ60N50P3, IXFH60N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	1,04 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	96 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	16.26mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	21.46mm

MOSFET IXYS IXFH60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™