MOSFET IXYS IXFH50N60P3, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 802-4388
Nº ref. fabric.:: IXFH50N60P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH50N60P3, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

10 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

4 Disponible para entrega en 3 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

9,94 €

(exc. IVA)

12,03 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 +	9,94 €

Código RS:: 802-4388
Nº ref. fabric.:: IXFH50N60P3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

IXFT50N60P3, IXFQ50N60P3, IXFH50N60P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	145 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	1,04 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.3mm
Longitud	16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	94 nC a 10 V
Altura	21.46mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C