MOSFET IXYS IXFH50N60P3, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 802-4388P
Nº ref. fabric.:: IXFH50N60P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH50N60P3, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 802-4388P
Nº ref. fabric.:: IXFH50N60P3
Fabricante:: IXYS

IXFT50N60P3, IXFQ50N60P3, IXFH50N60P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	145 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	1,04 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	5.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	94 nC a 10 V
Longitud	16.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	21.46mm

MOSFET IXYS IXFH50N60P3, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3