MOSFET de potencia, N-Canal IXYS IXFQ60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, Mejora, TO-3PN de 3 pines
- Código RS:
- 802-4461P
- Nº ref. fabric.:
- IXFQ60N50P3
- Fabricante:
- IXYS
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 5 unidades (suministrado en tubo)*
33,40 €
(exc. IVA)
40,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 4 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 5 - 9 | 6,68 € |
| 10 - 29 | 6,34 € |
| 30 - 89 | 6,17 € |
| 90 + | 6,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 802-4461P
- Nº ref. fabric.:
- IXFQ60N50P3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | Polar3 | |
| Encapsulado | TO-3PN | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.04kW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 96nC | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Altura | 20.3mm | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie Polar3 | ||
Encapsulado TO-3PN | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.04kW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 96nC | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.9mm | ||
Altura 20.3mm | ||
Longitud 15.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS