MOSFET IXYS IXFX80N60P3, VDSS 600 V, ID 80 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 802-4502
Nº ref. fabric.:: IXFX80N60P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFX80N60P3, VDSS 600 V, ID 80 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

31 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

23,95 €

(exc. IVA)

28,98 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	23,95 €
5 - 9	22,74 €
10 - 29	21,75 €
30 - 89	20,14 €
90 +	18,54 €

Código RS:: 802-4502
Nº ref. fabric.:: IXFX80N60P3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™

Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado	PLUS247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	70 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	1,3 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	190 nC a 10 V
Ancho	5.21mm
Altura	21.34mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C