MOSFET onsemi 2N7002K, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 805-1126
Nº ref. fabric.:: 2N7002K
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi 2N7002K, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

200 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 100)

0,086 €

(exc. IVA)

0,104 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
100 - 900	0,086 €	8,60 €
1000 - 2900	0,061 €	6,10 €
3000 - 8900	0,044 €	4,40 €
9000 - 23900	0,037 €	3,70 €
24000 +	0,036 €	3,60 €

*precio indicativo

Código RS:: 805-1126
Nº ref. fabric.:: 2N7002K
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,8 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	350 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	2.92mm
Material del transistor	Si
Ancho	1.3mm
Altura	1.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C