MOSFET, N-Canal onsemi NVF3055L108T1G, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
805-8717P
Nº ref. fabric.:
NVF3055L108T1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Tensión directa Vf

870mV

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-15V, +15V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.65mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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