MOSFET onsemi FDY302NZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
807-0729
Nº ref. fabric.:
FDY302NZ
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

600 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Serie

PowerTrench

Tipo de Encapsulado

SOT-523 (SC-89)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

625 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +12 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,8 nC a 4,5 V

Ancho

0.98mm

Longitud

1.7mm

Altura

0.78mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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