MOSFET onsemi, N-Canal FDY302NZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, SOT-523 (SC-89), Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 807-0729
- Nº ref. fabric.:
- FDY302NZ
- Fabricante:
- onsemi
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 807-0729
- Nº ref. fabric.:
- FDY302NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 600mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-523 (SC-89) | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V, -12V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 625mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 780μm | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Anchura | 980μm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 600mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-523 (SC-89) | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V, -12V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 625mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 780μm | ||
Longitud 1.7mm | ||
Anchura 980μm | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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