MOSFET, Tipo N-Canal onsemi HUF75321P3, VDSS 55 V, ID 35 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
807-6673
Nº ref. fabric.:
HUF75321P3
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-220

Serie

UltraFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

34mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

93W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

16.3mm

Anchura

4.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.

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Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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